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内容简介
本书从CMOS芯片结构技术出发，系统地介绍了微米、亚微米、深亚微米及纳米CMOS制造技术，内容包括单阱CMOS、双阱CMOS、LV/HV兼容CMOS、BiCMOS、LV/HV兼容BiCMOS,以及LV/HV兼容BCD制造技术。除第1章外，全书各章都采用由CMOS芯片主要元器件、制造技术及主要参数所组成的综合表，从芯片结构出发，利用计算机和相应的软件，描绘出芯片制造的各工序剖面结构，从而得到制程剖面结构。书中给出了100余种典型CMOS芯片结构，介绍了各种典型制造技术，并描绘出50余种制程剖面结构。深入地了解芯片制程剖面结构，对于电路设计、芯片制造、成品率提升、产品质量提高及电路失效分析等都是十分重要的。
本书技术含量高，非常实用，可作为芯片设计、制造、测试及可靠性等方面工程技术人员的重要参考资料，也可作为微电子专业高年级本科生的教学用书，还可供信息领域其他专业的学生和相关科研人员、工程技术人员参考。
作者简介
潘桂忠，1959年毕业于南京大学物理学系半导体物理专业，高级工程师，研究生导师，贝岭微电子公司原技术工程部经理。从事LSI/VLSI设计、工艺技术、芯片结构、电路研制及IC生产长达50余年。
先后负责启动并运转三家单位（航天部771所、香港华科、上海贝岭）引进的LSI生产线，实现了大批量生产；开发并提高了各种工艺技术；研制并生产了各种LSI/VLSI。其中，上海贝岭LSI大批量生产获得成功并取得了很好的经济效益，邓小平等领导人曾来公司参观；航天部专用“MOSIC的设计和制造”获航天部三等功；“S1240电话交换机专用LSI制造、生产和国产化（国家引进重点项目）”分别获上海市优秀新产品成果一等奖、科学技术进步奖和国家科技进步三等奖。曾参与《超纯硅的制备和分析》与《世界IC发展趋势》的编译、《实用IC工艺手册》的编著；发表论文50余篇，并编著《MOS集成电路结构与制造技术》和《MOS集成电路工艺与制造技术》。
